MOSFET（AO3401）+肖特基（1N5819）組合電路

本文介紹電路中，MOS管（AO3401）+肖特基（1N5819）常見組合應用。

一、MOSFET（AO3401）

基本特性

1. 類型：P溝道增強型MOSFET。

2. 電壓與電流：最大漏極源極電壓VDS為-30V，在柵源極電壓VGS=-10V時，最大漏極電流ID為-4.0A。

3. 導通電阻：在VGS=-10V時，RDS(ON)小于50mΩ，具有較低的導通電阻，有助于減少功率損耗。

4. 開關(guān)速度：AO3401具有較快的開關(guān)速度，適合用于高頻開關(guān)電源和快速開關(guān)電路中。

    

工作原理

1. 開啟狀態(tài)：當柵源極電壓VGS為負值時（如-10V），在氧化層下的P型半導體內(nèi)形成一個電場，使得源極的空穴向漏極方向移動，從而形成導通通道。

2. 關(guān)閉狀態(tài)：當VGS為0或正值時，電場消失，導通通道關(guān)閉，電流無法通過。

    

二、肖特基二極管（1N5819）

基本特性

1. 低正向壓降：肖特基二極管具有較低的正向壓降，通常低于0.5V，有助于減少功耗。

2. 快速開關(guān)速度：肖特基二極管具有較快的開關(guān)速度，適合用于高頻電路中。

3. 反向擊穿電壓：具有較高的反向擊穿電壓，能夠承受一定的反向電壓而不會損壞。

    

工作原理

1. 正向?qū)щ姡?/strong>當肖特基二極管的正向電壓超過其閾值電壓時，二極管開始導電，電流從陽極流向陰極。

2. 反向截止：當肖特基二極管處于反向電壓時，二極管截止，電流幾乎為零。